半導(dǎo)體所在氮化物材料外延研究中取得進(jìn)展
軍工資源網(wǎng) 2023年04月27日近日,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員劉志強(qiáng)等在氮化物材料外延研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展,揭示了氮化物范德華外延的物理本質(zhì),提出了二維材料輔助的氮化物外延生長基本準(zhǔn)則,同時,提出了解決本領(lǐng)域關(guān)鍵科學(xué)、技術(shù)問題的方案和路線。
近年來,二維材料輔助的氮化物外延取得了巨大進(jìn)展,并在實(shí)現(xiàn)多種功能材料異質(zhì)集成與物質(zhì)組裝方面顯示出極大潛力。然而,由于缺乏成熟的理論框架,二維材料輔助的氮化物外延中的一些基本問題,如無懸掛鍵表面的成核機(jī)制與晶格調(diào)控起源,仍不明確,這阻礙了其進(jìn)一步發(fā)展。針對這一問題,研究團(tuán)隊就多種氮化物/二維材料/襯底處的界面配置展開了研究,預(yù)測了不同種類襯底上二維材料輔助氮化物外延生長的行為,并給出了相應(yīng)的調(diào)控機(jī)制與生長前沿構(gòu)筑方案。相關(guān)成果以Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth為題在線發(fā)表于《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)。
研究團(tuán)隊首先應(yīng)用DFT計算預(yù)測了氮化物在石墨烯覆蓋的單晶襯底上的生長行為;發(fā)現(xiàn)除“晶格透明”外,石墨烯還具有傳遞襯底勢場的能力,并通過石墨烯缺乏面內(nèi)和面外偶極矩的特性與π電子重新分布過程解釋了這一現(xiàn)象。由此確認(rèn)了在石墨烯覆蓋的單晶襯底上氮化物生長實(shí)質(zhì)上仍受到襯底晶格的調(diào)控,其機(jī)制為“遠(yuǎn)程外延”,而石墨烯則為“遠(yuǎn)程外延”的理想緩沖層。研究團(tuán)隊在石墨烯覆蓋的藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行了氮化物外延生長,石墨烯輔助的氮化物外延與異質(zhì)外延相一致的外延關(guān)系佐證了上述觀點(diǎn)(圖1)。
研究團(tuán)隊就二維材料覆蓋的非晶襯底上的氮化物外延生長展開了研究,以探索不同二維材料對氮化物生長的調(diào)控作用。DFT計算結(jié)果表明,排除襯底晶格影響后,氮化物/二維材料界面由范德華相互作用調(diào)控,且選取晶格匹配的二維材料緩沖層對實(shí)現(xiàn)單晶氮化物范德華外延生長至關(guān)重要。由于石墨烯與氮化物間較大的晶格失配與較弱的相互作用,石墨烯難以為氮化物生長提供唯一穩(wěn)定的吸附位點(diǎn)與合適的生長勢場,最終將導(dǎo)致其上外延生長的氮化物為多晶。而與氮化物幾何匹配的WS2則是理想的氮化物范德華外延緩沖層,且考慮到晶格對稱性,其經(jīng)常出現(xiàn)的60°轉(zhuǎn)角晶界并不會影響后續(xù)氮化物的外延晶格堆疊。研究團(tuán)隊在石墨烯覆蓋的非晶玻璃上進(jìn)行了氮化物生長,結(jié)果表明氮化物外延層為多晶,且晶體取向與界面配置均與理論計算結(jié)果相吻合(圖2)。研究團(tuán)隊在WS2覆蓋的非晶玻璃上獲得了單晶氮化物外延層,證實(shí)了氮化物范德華外延的可行性,并為氮化物外延提供了普適的生長界面構(gòu)筑準(zhǔn)則(圖3)。
該生長方法同樣適用于近年來新興的柔性材料和器件領(lǐng)域,在可穿戴及可折疊顯示器、太陽能電池、傳感器和生物醫(yī)學(xué)設(shè)備等方面具有廣闊的應(yīng)用前景,實(shí)現(xiàn)III族氮化物大面積剝離轉(zhuǎn)印技術(shù)和柔性氮化物制備是該領(lǐng)域的核心技術(shù)瓶頸。團(tuán)隊系統(tǒng)介紹并討論了柔性氮化物制備的代表性進(jìn)展,以及基于二維材料的不同種類的柔性氮化物器件應(yīng)用(圖4)。他們總結(jié)了二維材料作為外延釋放層來制備柔性氮化物器件所面臨的挑戰(zhàn),并提出了解決本領(lǐng)域關(guān)鍵科學(xué)、技術(shù)問題的方案和路線。相關(guān)成果以Recent Advances in Mechanically Transferable III-Nitride Based on 2D Buffer Strategy為題在線發(fā)表于《先進(jìn)功能材料》(Advanced Functional Materials)。
基于對氮化物生長界面方面較深入的研究,研究團(tuán)隊在高質(zhì)量氮化物外延生長方面取得進(jìn)展,藍(lán)寶石襯底氮化鎵外延材料位錯密度降低至1.1×108 cm-2, 優(yōu)于文獻(xiàn)報道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果(圖5)。
上述工作得到國家自然科學(xué)基金委、科學(xué)技術(shù)部國家重點(diǎn)研發(fā)計劃資助項目、半導(dǎo)體所青年人才項目的支持。
圖1 藍(lán)寶石-石墨烯晶圓上的單晶氮化物遠(yuǎn)程外延層
圖2 石墨烯-石英玻璃晶圓上多種取向并存的氮化物外延層
圖3 WS2-石英玻璃晶圓上的單晶氮化物范德華外延層
圖4 二維材料輔助剝離氮化物
圖5 文獻(xiàn)報道氮化物位錯密度結(jié)果對比