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微電子所等在高能效浮點存內(nèi)計算方面取得進展

軍工資源網(wǎng) 2023年03月14日

  近年來,存內(nèi)計算架構(gòu)成為人工智能加速芯片的重要研究方向。存內(nèi)計算架構(gòu)能夠降低數(shù)據(jù)訪問開銷,顯著提升神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等智能算法的能效。目前,針對存內(nèi)計算芯片的研究集中在定點存內(nèi)計算領(lǐng)域,現(xiàn)有浮點存內(nèi)計算的實現(xiàn)方案采用近存電路、指數(shù)-底數(shù)分離、浮點-定點轉(zhuǎn)換等方式,面臨較低并行度或較多浮點運算周期的挑戰(zhàn),難以實現(xiàn)高能效和高性能??紤]到更大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)模型和復(fù)雜任務(wù)的需求以及浮點運算在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練過程中的必要性,浮點運算功能對于未來存內(nèi)計算芯片非常重要。 

  針對高能效浮點存內(nèi)計算的挑戰(zhàn),中國科學(xué)院院士、中科院微電子研究所研究員劉明團隊與清華大學(xué)教授劉勇攀團隊合作,提出了稠密存內(nèi)+稀疏數(shù)字的新型混合存內(nèi)計算架構(gòu)。研究發(fā)現(xiàn),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)各層的數(shù)據(jù)分布具有長尾特性,且其中大部分?jǐn)?shù)據(jù)的指數(shù)位密集分布在一個較小的區(qū)間內(nèi)。基于此,研究提出了將高能效存內(nèi)計算核心用于執(zhí)行密集指數(shù)位的數(shù)據(jù)運算,將高靈活度稀疏數(shù)字核心用于執(zhí)行具有長尾特性的稀疏指數(shù)位的數(shù)據(jù)運算。高效的浮點-定點轉(zhuǎn)換電路、靈活編碼的稀疏數(shù)字核心以及節(jié)省高位計算的數(shù)字存內(nèi)計算加法器樹電路進一步提升了該設(shè)計方案的能效。該SRAM存內(nèi)計算芯片在28nm工藝下流片,在4比特定點和16比特浮點情況下,存內(nèi)計算核心的稠密網(wǎng)絡(luò)峰值能效分別達到275TOPS/W17.2TOPS/W,稀疏網(wǎng)絡(luò)峰值能效分別達到1600TOPS/W90TOPS/W。該成果有助于推動SRAM存內(nèi)計算芯片在高準(zhǔn)確率浮點神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練等方面的應(yīng)用。 

  相關(guān)研究成果以A 28nm 16.9-300TOPS/W Computing-in-Memory Processor Supporting Floating-Point NN Inference/Training with Intensive-CIM Sparse-Digital Architecture為題,入選固態(tài)電路領(lǐng)域頂級會議ISSCC 2023 

1.“稠密定點+稀疏浮點”存算一體混合架構(gòu):運算拆分原理 

2.28nm高能效浮點存內(nèi)計算芯片

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