剛剛！3納米官宣！
軍工資源網(wǎng) 2022年07月01日
三星電子首次實現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管”（簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能。
三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領(lǐng)域。
一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。例如：三星的第一個High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應(yīng)晶體管’（ MBCFET），將繼續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位。同時，三星將繼續(xù)在競爭性技術(shù)開發(fā)方面積極創(chuàng)新，并建立有助于加速實現(xiàn)技術(shù)成熟的流程。
